經(jīng)顱磁刺激(TMS)技術(shù),利用時(shí)變的脈沖磁場(chǎng)能穿透顱骨在大腦神經(jīng)元細(xì)胞中形成感應(yīng)電場(chǎng),進(jìn)而產(chǎn)生感應(yīng)電流作用于神經(jīng)系統(tǒng),引起一系列生理生化反應(yīng),從而影響腦內(nèi)代謝和神經(jīng)元興奮性改變,達(dá)到改善及治療精神和神經(jīng)疾病的作用。
經(jīng)顱磁刺激的技術(shù)原理

電磁感應(yīng)與電磁轉(zhuǎn)換是經(jīng)顱磁刺激的基本原理,TMS 刺激線圈內(nèi)通過的脈沖電流產(chǎn)生強(qiáng)大瞬變的磁場(chǎng),變化的磁場(chǎng)在附近的導(dǎo)體,包括人體組織、大腦神經(jīng)元在內(nèi),誘導(dǎo)出感應(yīng)電場(chǎng),繼而產(chǎn)生感應(yīng)電流,磁場(chǎng)刺激的生物效應(yīng)都是由這種感應(yīng)電場(chǎng)與感應(yīng)電流對(duì)神經(jīng)的刺激作用產(chǎn)生的。
經(jīng)顱磁刺激的基本電路
 
TMS設(shè)備最基本的簡(jiǎn)化電路由主電路和刺激線圈組成,主電路由充電電路、儲(chǔ)能電容、脈沖整形電路以及可控硅開關(guān)幾部分構(gòu)成。
如果接通脈沖整形電路的開關(guān),使電容方向電壓被二極管D1鉗位,刺激線圈只流過單相電流,如果斷開開關(guān),LC振蕩電路的反向電流可通過D2流向刺激線圈,使刺激線圈有雙相輸出。
經(jīng)顱磁刺激的工作原理
磁刺激所需的能量是由高壓電源經(jīng)整流后對(duì)儲(chǔ)能電容器進(jìn)行充電,充電電壓從零到數(shù)千伏,可以調(diào)節(jié),儲(chǔ)能電容上的電壓高低決定刺激線圈流過電流的大小和刺激強(qiáng)度。
經(jīng)顱磁刺激的作用機(jī)制
TMS是一種無創(chuàng)性刺激神經(jīng)的外因,必須通過大腦皮層神經(jīng)元的內(nèi)因而起作用。普遍認(rèn)為TMS的作用機(jī)制是影響神經(jīng)系統(tǒng)對(duì)信息的處理過程,包括神經(jīng)元突觸的興奮、突觸的抑制和突觸的可塑性。從動(dòng)物實(shí)驗(yàn)和臨床應(yīng)用的30多年來,TMS目前達(dá)成的共識(shí)是:高頻刺激可以在皮質(zhì)引起長(zhǎng)時(shí)程增強(qiáng)(LTP)樣的神經(jīng)興奮性增高,低頻刺激引起長(zhǎng)時(shí)程抑制(LTD)樣的興奮性降低。
神經(jīng)調(diào)制機(jī)制
利用 TMS 人為 干預(yù),直接改變突觸連接強(qiáng)度,雙向調(diào)節(jié)神經(jīng)功能 的長(zhǎng)時(shí)程增強(qiáng)(long-term potentiation,LTP)或長(zhǎng)時(shí)程抑制(long-term depression,LTD);從分子水平、突觸水平,細(xì)胞水平、神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)水平甚至大腦控制的行為學(xué)水平發(fā)揮神經(jīng)可塑性調(diào)節(jié)。
多種機(jī)制相互作用
通過與 PET、MRI、腦電圖 (electroencephalogram,EEG)的聯(lián)合使用,發(fā)現(xiàn) TMS 不僅有局部皮質(zhì)的刺激作用,而且通過刺激區(qū)域的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)連接有遠(yuǎn)程作用,引起神經(jīng)遞質(zhì)、激素、腦源性神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)因子、血流量及代謝的變化,腦電波基礎(chǔ)活動(dòng)頻率、共振頻率的變化,通過多種機(jī)制調(diào)制大腦功能。
[1] 竇祖林. 經(jīng)顱磁刺激技術(shù)基礎(chǔ)與臨床應(yīng)用[M]. 人民衛(wèi)生出版社, 2012.
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